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    MOS場效應管什么會發熱,其原因不能忽視
    - 2019-08-01-

           做電源設計,或許做驅動方面的電路,要用到場效應管,也就是人們常說的MOS場效應管。MOS管有很多種,當然作用也不一樣.做電源或許驅動的運用,當然就是用它的開關作用。接下來咱們來了解MOS管發熱五大關鍵技術。
      1、芯片發熱
      針對內置電源調制器的高壓驅動芯片。假設芯片消耗的電流為2mA,300V的電壓加在芯片上面,芯片的功耗為0.6W,當然會引起芯片的發熱。驅動芯片的電流來自于驅動功率MOS管的消耗,再簡單一點,就是要考慮散熱。
      2、功率管發熱
      功率管的功耗分兩部分,開關損耗和導通損耗。要注意的是,大多數場合特別是LED市電驅動運用,開關損害要遠大于導通損耗。開關損耗與功率管的cgd和cgs以及芯片的驅動才干和作業頻率有關,所以要處理功率管的發熱可以從以下幾個方面處理:A、不能片面依據導通電阻巨細來選擇MOS功率管,由于內阻越小,cgs和cgd電容越大。如1N60的cgs為250pF左右,2N60的cgs為350pF左右,5N60的cgs為1200pF左右,不同太大了,選擇功率管時,夠用就可以了。B、剩下的就是頻率和芯片驅動才干了,這里只談頻率的影響。頻率與導通損耗也成正比,所以功率管發熱時,首先要想想是不是頻率選擇的有點高。想辦法下降頻率吧!不過要留意,當頻率下降時,為了得到相同的負載才干,峰值電流必定要變大或許電感也變大,這都有或許導致電感進入飽滿區域。假設電感飽滿電流夠大,可以考慮將CCM(連續電流形式)改動成DCM(非連續電流形式),這樣就需要增加一個負載電容了。

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